MOSFET IXYS, N-Canal IXTK22N100L, VDSS 1 kV, ID 22 A, TO-264, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 686-7852
- Referência do fabricante:
- IXTK22N100L
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 686-7852
- Referência do fabricante:
- IXTK22N100L
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 22 A | |
| Encapsulado | TO-264 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 26.16 mm | |
| Longitud | 19.96 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 600 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V, -30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 700 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | Linear | |
| Anchura | 5.13 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 22 A | ||
Encapsulado TO-264 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 26.16 mm | ||
Longitud 19.96 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 600 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V, -30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 700 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie Linear | ||
Anchura 5.13 mm | ||
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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