MOSFET STMicroelectronics, Tipo N, Tipo N-Canal STW55NM60ND, VDSS 600 V, ID 51 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config.
- Código RS:
- 103-1993
- Referência do fabricante:
- STW55NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 103-1993
- Referência do fabricante:
- STW55NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | FDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 190nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie FDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 5.15mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia FDmeshTM de canal N, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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