Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN017-60YS,115, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

Código RS:: 798-2851
Referência do fabricante:: PSMN017-60YS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN017-60YS,115, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:: 798-2851
Referência do fabricante:: PSMN017-60YS,115
Fabricante:: Nexperia

Especificações

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Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	44A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	SOT-669
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	25mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	74W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Altura	1.1mm
	Anchura	4.1 mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Nexperia
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 44A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado SOT-669
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 74W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Altura 1.1mm
	Anchura 4.1 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN017-60YS,115, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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