MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

543,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 6000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1500 +0,362 €543,00 €

*preço indicativo

Código RS:
166-0068
Referência do fabricante:
PSMN017-60YS,115
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4.1 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


Links relacionados