MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R5-60YS,115, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- Código RS:
- 798-2996
- Referência do fabricante:
- PSMN5R5-60YS,115
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
8,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 28 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,728 € | 8,64 € |
| 50 - 120 | 1,588 € | 7,94 € |
| 125 - 245 | 1,496 € | 7,48 € |
| 250 - 495 | 1,376 € | 6,88 € |
| 500 + | 1,268 € | 6,34 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 798-2996
- Referência do fabricante:
- PSMN5R5-60YS,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-669 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-669 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN017-60YS,115, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN012-60YS,115, VDSS 60 V, ID 59 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN7R0-60YS,115, VDSS 60 V, ID 89 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 89 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 59 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R7-30YL,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines