MOSFET, N-Canal Toshiba TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
796-5153
Referência do fabricante:
TK9J90E
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Serie

TK

Encapsulado

TO-3PN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión directa Vf

-1.7V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20mm

Longitud

15.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, series TK8 y TK9, Toshiba


Transistores MOSFET, Toshiba


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