Referência do fabricante

MOSFET, N-Canal Vishay SIRA14DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 58 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Código RS:: 787-9389
Referência do fabricante:: SIRA14DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

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Código RS:: 787-9389
Referência do fabricante:: SIRA14DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

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Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	8.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	760mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-16V, +20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	19.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd	31.2W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	5.26mm
	Longitud	6.25mm
	Altura	1.12mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 760mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd 31.2W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 5.26mm
	Longitud 6.25mm
	Altura 1.12mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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