MOSFET, N-Canal Vishay SiRA84BDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 70 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
188-5078
Referência do fabricante:
SiRA84BDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiRA84BDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-16V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

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