MOSFET, N-Canal Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
165-2723
Referência do fabricante:
SIR462DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiR462DP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

800mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

4.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

4.9mm

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.89mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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