MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

597,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 3000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,199 €597,00 €

*preço indicativo

Código RS:
919-4299
Referência do fabricante:
SISS27DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3 mm

Altura

0.78mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados