MOSFET Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 787-9207
Referência do fabricante:: SiHG32N50D-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 787-9207
Referência do fabricante:: SiHG32N50D-GE3
Fabricante:: Vishay

SiHG32N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	150 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	390 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	64 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	15.87mm
Altura	20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor