MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
787-9207
Referência do fabricante:
SiHG32N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

SiHG32N50D

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.82mm

Longitud

15.87mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.