MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
787-9207
Referência do fabricante:
SiHG32N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

SiHG32N50D

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.87mm

Anchura

5.31 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados