MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

8,22 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 500 unidade(s) para enviar a partir do dia 04 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 48,22 €
5 - 98,05 €
10 - 997,40 €
100 - 4996,06 €
500 +5,17 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
268-8297
Referência do fabricante:
SIHG085N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

SIHG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.084Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

184W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.7mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido que reduce las pérdidas de conmutación y conducción, y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Links relacionados