MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 8 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Interruptor de
- Código RS:
- 163-1114
- Referência do fabricante:
- NTJD1155LT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 163-1114
- Referência do fabricante:
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- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 8V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 320mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Interruptor de carga N+P | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 8V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 320mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Interruptor de carga N+P | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Características y ventajas:
• Protección contra ESD
• Interruptor de carga de canal P de Rds ultra bajas
• Rango V de 1,8 - 8,0V
• Rango de encendido/apagado: De 1,5 a 8,0V
• Paquete SOT 363
• Carga de tracción de hasta 1,3A con 8 V.
Aplicaciones:
• Interruptor de carga del lado alto con cambio de nivel
• Teléfonos móviles
• Cámaras digitales
• PDA
• Reproductores de medios
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
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