MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

3,36 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 1531 unidade(s) a partir do dia 25 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +3,36 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
752-8344
Referência do fabricante:
IPB320N20N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.31mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados