MOSFET Infineon IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 752-8344
Referência do fabricante:: IPB320N20N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 752-8344
Referência do fabricante:: IPB320N20N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB320N20N3 G, IPP320N20N3 G, IPI320N20N3 G, OptiMOSTM3 Power-Transistor MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	32 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	136 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	9.45mm
Material del transistor	Si
Longitud	10.31mm
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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