MOSFET, N-Canal Infineon BSP373NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

5,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
  • Mais 2535 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 +1,10 €5,50 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
752-8224
Número do artigo Distrelec:
304-45-302
Referência do fabricante:
BSP373NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.5mm

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,7 A - BSP373NH6327XTSA1


Este MOSFET es un transistor de mejora de canal N compacto diseñado para la conmutación y el control de potencia de montaje en superficie en entornos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y gestiona niveles de corriente y tensión continuos moderados, lo que lo convierte en adecuado para sistemas electrónicos que requieren un elemento de conmutación robusto compatible con aplicaciones de automoción.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 300 mΩ reduce las pérdidas de conducción a la corriente nominal
• La corriente de drenaje continua de 1,7 A admite cargas de estado estable
• La carga de puerta típica de 6,2 nC permite un control de conmutación eficiente
• La disipación de potencia máxima de 1,8 W gestiona la tensión térmica durante el uso
• La tensión máxima de fuente de puerta de 20 V permite niveles de accionamiento de puerta flexibles

Aplicaciones


• Apto para la gestión de potencia en módulos electrónicos de automoción
• Ideal para convertidores dc/dc en conjuntos restringidos
• Se utiliza con controladores de motor para el control de actuadores de baja potencia
• Puede utilizarse para conmutar cargas en unidades telemáticas
• Se utiliza para la gestión de baterías en sistemas auxiliares de vehículos

¿Qué encapsulado se utiliza para el montaje compacto a nivel de placa?


Se suministra en un encapsulado SOT-223 diseñado para montaje en superficie para ahorrar espacio en la placa de circuito impreso al tiempo que permite la transferencia de calor a través de la lengüeta.

¿Cómo se comporta en entornos de altas temperaturas?


Está especificado para funcionar de -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en condiciones ambientales elevadas o de bahía del motor.

¿Qué número de contactos y estilo de montaje deben esperar los diseñadores?


El dispositivo utiliza cuatro contactos y está diseñado para montaje en superficie directo en una PCB para conexión mecánica y eléctrica.

¿Es este dispositivo adecuado para los requisitos de certificación de automoción?


Cumple las normas AEC-Q101 de automoción para dispositivos semiconductores, en línea con las especificaciones de fiabilidad electrónica de los vehículos.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.