MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP373NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 752-8224
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-302
- Referência do fabricante:
- BSP373NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
3,14 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 100 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 3535 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,628 € | 3,14 € |
| 50 - 120 | 0,568 € | 2,84 € |
| 125 - 245 | 0,528 € | 2,64 € |
| 250 - 495 | 0,49 € | 2,45 € |
| 500 + | 0,458 € | 2,29 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 752-8224
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-302
- Referência do fabricante:
- BSP373NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 3.5 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 3.5 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP75DP06LMXTSA1, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQT7N10LTF, VDSS 100 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines