MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 911-4827
Referência do fabricante:: BSP295H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:: 911-4827
Referência do fabricante:: BSP295H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	300mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Tensión directa Vf	1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.5 mm
	Longitud	6.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.6mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado SOT-223
	Serie SIPMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Tensión directa Vf 1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.5 mm
	Longitud 6.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.6mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 1,8 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP295H6327XTSA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización y electrónica. Su configuración de canal N combinada con un eficiente diseño de montaje en superficie permite un control eficaz de la corriente, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales. Admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, lo que garantiza un rendimiento constante en diversos proyectos.

Características y ventajas

• Maneja continuamente una corriente de drenaje de 1,8A

• Resistencia de drenaje-fuente máxima baja de 300mΩ

• Amplio rango de tensión de la fuente de puerta de -20 V a +20 V

• Cumplen la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101

Aplicaciones

• Sistemas de gestión de la energía para un control eficaz de la producción

• Accionamientos de motor para operaciones de conmutación fiables

• Amplificación de señales en diversos dispositivos electrónicos

• Unidades de control electrónico del automóvil

¿Cuál es la disipación de potencia típica del componente?

Puede disipar hasta 1,8 W en las condiciones especificadas para una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?

La tensión umbral de puerta máxima es de 1,8 V, lo que permite al MOSFET alcanzar un rendimiento óptimo a bajos niveles de entrada.

¿Puede este componente soportar corrientes de drenaje pulsadas?

Sí, está preparado para una corriente de drenaje pulsada de hasta 6 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.

¿Qué opciones de envasado existen?

El MOSFET está disponible en un encapsulado de montaje superficial SOT-223, optimizado para diseños que ahorran espacio.

¿Cumple el dispositivo las normas medioambientales?

Presenta un revestimiento de plomo sin Pb y cumple la normativa RoHS, por lo que satisface las normas medioambientales actuales.