MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 911-4827
- Referência do fabricante:
- BSP295H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
379,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 1000 unidade(s) a partir do dia 19 de novembro de 2026
- Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,379 € | 379,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,36 € | 360,00 € |
| 3000 + | 0,338 € | 338,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 911-4827
- Referência do fabricante:
- BSP295H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 3.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 1,8 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP295H6327XTSA1
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización y electrónica. Su configuración de canal N combinada con un eficiente diseño de montaje en superficie permite un control eficaz de la corriente, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales. Admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, lo que garantiza un rendimiento constante en diversos proyectos.
Características y ventajas
• Maneja continuamente una corriente de drenaje de 1,8A
• Resistencia de drenaje-fuente máxima baja de 300mΩ
• Amplio rango de tensión de la fuente de puerta de -20 V a +20 V
• Cumplen la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101
Aplicaciones
• Sistemas de gestión de la energía para un control eficaz de la producción
• Accionamientos de motor para operaciones de conmutación fiables
• Amplificación de señales en diversos dispositivos electrónicos
• Unidades de control electrónico del automóvil
¿Cuál es la disipación de potencia típica del componente?
Puede disipar hasta 1,8 W en las condiciones especificadas para una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?
La tensión umbral de puerta máxima es de 1,8 V, lo que permite al MOSFET alcanzar un rendimiento óptimo a bajos niveles de entrada.
¿Puede este componente soportar corrientes de drenaje pulsadas?
Sí, está preparado para una corriente de drenaje pulsada de hasta 6 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.
¿Qué opciones de envasado existen?
El MOSFET está disponible en un encapsulado de montaje superficial SOT-223, optimizado para diseños que ahorran espacio.
¿Cumple el dispositivo las normas medioambientales?
Presenta un revestimiento de plomo sin Pb y cumple la normativa RoHS, por lo que satisface las normas medioambientales actuales.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP295H6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP372NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN3N40K3, VDSS 400 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay IRFL9014TRPBF, VDSS -60 V, ID -1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines