MOSFET, N-Canal Vishay IRLI640GPBF, VDSS 200 V, ID 9.9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
708-4872
Referência do fabricante:
IRLI640GPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

IRLI

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10V, +10V

Tensión directa Vf

2V

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.3mm

Altura

9.8mm

Longitud

4.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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