Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R650CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 9.9 A, P, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 217-2497
Referência do fabricante:: IPAN60R650CEXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R650CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 9.9 A, P, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 217-2497
Referência do fabricante:: IPAN60R650CEXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	CoolMOS
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	650mΩ
	Modo de canal	P
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	82W
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	16.1mm
	Altura	29.87mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado TO-220
	Serie CoolMOS
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 650mΩ
	Modo de canal P
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 82W
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 16.1mm
	Altura 29.87mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPAN60R650CEXKSA1

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo de energía reducida almacenada en Capacitancia de salida (E OSS)

Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)

R g integrado optimizado

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