MOSFET de potencia SuperMESH, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB4NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 687-5190
- Referência do fabricante:
- STB4NK60ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
11,76 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,352 € | 11,76 € |
| 10 - 20 | 2,104 € | 10,52 € |
| 25 - 95 | 1,99 € | 9,95 € |
| 100 - 495 | 1,484 € | 7,42 € |
| 500 + | 1,26 € | 6,30 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 687-5190
- Referência do fabricante:
- STB4NK60ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia SuperMESH | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JESD97 | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia SuperMESH | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JESD97 | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET de potencia SuperMESH, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET SuperMESH con protección zener, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP10NK60Z, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220
- MOSFET SuperMESH con protección zener, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines