MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 192-4649
- Referência do fabricante:
- STB18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-4649
- Referência do fabricante:
- STB18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.37mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.37mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La nueva tecnología M6 de MDmesh incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia de MOSFETs de SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Reducción de las pérdidas de conmutación
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de punto de inyección baja
Protección Zener
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