MOSFET SuperMESH con protección zener, N-Canal STMicroelectronics STP10NK60Z, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3

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Código RS:
485-7412
Referência do fabricante:
STP10NK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET SuperMESH con protección zener

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.15mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

JESD97, ECOPACK

Anchura

4.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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