MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 166-0942
- Referência do fabricante:
- STB18N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 166-0942
- Referência do fabricante:
- STB18N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 9.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 9.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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