MOSFET IXYS IXFB82N60Q3, VDSS 600 V, ID 82 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-4696
Referência do fabricante:: IXFB82N60Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFB82N60Q3, VDSS 600 V, ID 82 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 168-4696
Referência do fabricante:: IXFB82N60Q3
Fabricante:: IXYS

IXFB82N60Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	82 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	PLUS264
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	75 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	1,56 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	275 nC a 10 V
Ancho	5.31mm
Altura	26.59mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFB82N60Q3, VDSS 600 V, ID 82 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3