MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDP61N20, VDSS 200 V, ID 61 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 671-4859
- Referência do fabricante:
- FDP61N20
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 421 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,30 € |
| 10 - 19 | 1,93 € |
| 20 - 49 | 1,84 € |
| 50 - 99 | 1,75 € |
| 100 + | 1,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 671-4859
- Referência do fabricante:
- FDP61N20
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 61A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | UniFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 417W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 9.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 61A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie UniFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 417W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 9.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 61 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 61 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS015N15MC, VDSS 150 V, ID 61 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 61 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP220N25NFDAKSA1, VDSS 250 V, ID 61 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 500 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 250 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines