MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLU024NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines

Código RS:: 543-0591
Referência do fabricante:: IRLU024NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLU024NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:: 543-0591
Referência do fabricante:: IRLU024NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	IPAK
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	45W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.73mm
	Altura	6.22mm
	Anchura	2.39 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado IPAK
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 45W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.73mm
	Altura 6.22mm
	Anchura 2.39 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 55 V - IRLU024NPBF

Este MOSFET es un dispositivo de potencia de alto rendimiento diseñado específicamente para aplicaciones exigentes dentro de las industrias eléctrica y mecánica. Presenta una configuración en modo de mejora y funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C. Con unas dimensiones compactas de 6,73 mm de longitud, 2,39 mm de anchura y 6,22 mm de altura, puede integrarse fácilmente en diversas configuraciones electrónicas.

Características y ventajas

• Alcanza una corriente de drenaje continua máxima de 17 A

• Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V

• Admite una disipación de potencia máxima de 45 W

• Diseño robusto apto para aplicaciones de alta temperatura

• Compatible con montaje pasante para una instalación versátil

Aplicaciones

• Se utiliza en sistemas de control de motores para una regulación precisa

• Adecuado para fuentes de alimentación conmutadas para una conversión eficiente de la energía

• Eficaz en equipos de automatización industrial para un rendimiento fiable

• Se utiliza en electrónica de consumo para mejorar la gestión de la energía

• Ideal para circuitos de gestión de potencia que requieren alta corriente

¿Qué importancia tiene la resistencia a la conexión en este dispositivo?

La baja Rds(on) de 65mΩ garantiza una pérdida mínima de energía durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia general de los circuitos diseñados con este dispositivo específico. Esta característica también favorece la capacidad para soportar corrientes más altas sin problemas de sobrecalentamiento en aplicaciones electrónicas.

¿Cómo se comporta este MOSFET en entornos de alta temperatura?

Este dispositivo está diseñado para funcionar de forma fiable a temperaturas que oscilan entre -55 °C y +175 °C, lo que lo hace adecuado para entornos que experimentan un importante estrés térmico, como la maquinaria industrial y las aplicaciones de automoción.

¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?

Sí, el dispositivo admite corrientes de drenaje pulsadas de hasta 72 A, lo que proporciona flexibilidad en diversas aplicaciones de conmutación dinámica en las que son necesarias ráfagas cortas de alta corriente.