MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 542-9951
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-378
- Referência do fabricante:
- IRFU5305PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
1,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 11 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
- Mais 3004 unidade(s) para enviar a partir do dia 15 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 1,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 542-9951
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-378
- Referência do fabricante:
- IRFU5305PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRFU5305PBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer eficiencia y fiabilidad en diversas aplicaciones electrónicas. Las avanzadas técnicas de procesamiento incorporadas permiten una baja resistencia por área de silicio, lo que la hace adecuada para diseños de circuitos de alto rendimiento. Sus sólidas capacidades se adaptan a una amplia gama de especificaciones de corriente y tensión de drenaje, lo que garantiza un uso óptimo en sistemas eléctricos y de automatización.
Características y ventajas
• Alta capacidad de manejo de corriente de hasta 31 A
• Funciona eficazmente en modo de mejora del rendimiento
• Baja resistencia estática de drenaje a fuente para un consumo eficiente de energía
• Amplio rango de tensión entre la puerta y la fuente de ±20 V para un control versátil
• Puede soportar niveles de disipación de potencia de hasta 110 W
• El compacto encapsulado TO-251 IPAK facilita la instalación en poco espacio
Aplicaciones
• Ideal para la gestión de la energía en electrónica de consumo
• Empleado en sistemas de energía renovable para un control eficaz
• Apto para alimentación en vehículos eléctricos
• Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas de alta frecuencia para mejorar el rendimiento
¿Qué rango de temperatura de funcionamiento se puede mantener?
El componente puede funcionar entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversos entornos.
¿Cómo afecta la instalación al rendimiento?
Su correcta instalación en aplicaciones con limitaciones de espacio optimiza la disipación del calor, mejorando así la fiabilidad y el rendimiento.
¿Qué debe tenerse en cuenta para la gestión del calor durante el uso?
Garantizar métodos de refrigeración adecuados es crucial debido a su disipación de potencia máxima de 110 W cuando funciona a altas corrientes de drenaje.
¿Qué tipo de diseños de circuitos se benefician de sus especificaciones?
Su baja resistencia a la conexión y su alta corriente nominal lo hacen idóneo para diseños centrados en la eficiencia y en minimizar las pérdidas de energía en aplicaciones como el control de motores y las fuentes de alimentación.
¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas?
Sí, es adecuado para circuitos paralelos; sin embargo, deben considerarse métodos de equilibrado para garantizar una distribución uniforme de la corriente entre los dispositivos.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU9024NPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5305STRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines