MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines

Código RS:: 542-9951
Número do artigo Distrelec:: 303-41-378
Referência do fabricante:: IRFU5305PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:: 542-9951
Número do artigo Distrelec:: 303-41-378
Referência do fabricante:: IRFU5305PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	IPAK
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	63nC
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.6mm
	Anchura	2.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	6.1mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado IPAK
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.6mm
	Anchura 2.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 6.1mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRFU5305PBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer eficiencia y fiabilidad en diversas aplicaciones electrónicas. Las avanzadas técnicas de procesamiento incorporadas permiten una baja resistencia por área de silicio, lo que la hace adecuada para diseños de circuitos de alto rendimiento. Sus sólidas capacidades se adaptan a una amplia gama de especificaciones de corriente y tensión de drenaje, lo que garantiza un uso óptimo en sistemas eléctricos y de automatización.

Características y ventajas

• Alta capacidad de manejo de corriente de hasta 31 A

• Funciona eficazmente en modo de mejora del rendimiento

• Baja resistencia estática de drenaje a fuente para un consumo eficiente de energía

• Amplio rango de tensión entre la puerta y la fuente de ±20 V para un control versátil

• Puede soportar niveles de disipación de potencia de hasta 110 W

• El compacto encapsulado TO-251 IPAK facilita la instalación en poco espacio

Aplicaciones

• Ideal para la gestión de la energía en electrónica de consumo

• Empleado en sistemas de energía renovable para un control eficaz

• Apto para alimentación en vehículos eléctricos

• Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas de alta frecuencia para mejorar el rendimiento

¿Qué rango de temperatura de funcionamiento se puede mantener?

El componente puede funcionar entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversos entornos.

¿Cómo afecta la instalación al rendimiento?

Su correcta instalación en aplicaciones con limitaciones de espacio optimiza la disipación del calor, mejorando así la fiabilidad y el rendimiento.

¿Qué debe tenerse en cuenta para la gestión del calor durante el uso?

Garantizar métodos de refrigeración adecuados es crucial debido a su disipación de potencia máxima de 110 W cuando funciona a altas corrientes de drenaje.

¿Qué tipo de diseños de circuitos se benefician de sus especificaciones?

Su baja resistencia a la conexión y su alta corriente nominal lo hacen idóneo para diseños centrados en la eficiencia y en minimizar las pérdidas de energía en aplicaciones como el control de motores y las fuentes de alimentación.

¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas?

Sí, es adecuado para circuitos paralelos; sin embargo, deben considerarse métodos de equilibrado para garantizar una distribución uniforme de la corriente entre los dispositivos.