MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU9024NPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 541-1657
- Referência do fabricante:
- IRFU9024NPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 25 para poupar 4%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
2,09 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 185 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 2220 unidade(s) para enviar a partir do dia 16 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 2,09 € | - |
| 25 - 49 | 2,00 € | 4% |
| 50 - 99 | 1,91 € | 8% |
| 100 - 249 | 1,78 € | 14% |
| 250 + | 1,75 € | 16% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 541-1657
- Referência do fabricante:
- IRFU9024NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 175mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.39mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.39mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 11 A, disipación de potencia máxima de 38 W - IRFU9024NPBF
Este MOSFET de canal P está destinado a aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 11 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que le permite soportar cargas importantes y garantizar la fiabilidad en diversas condiciones de funcionamiento. Su tipo de montaje con orificios pasantes permite una integración perfecta en los diseños existentes, lo que lo convierte en un componente clave para los profesionales de la automatización y la electrónica.
Características y ventajas
• La baja Rds(on) de 175mΩ mejora la eficiencia energética
• La disipación de potencia máxima de 38 W favorece un rendimiento sólido
• La configuración de un solo transistor simplifica los procesos de diseño
• Cumple las normas sobre ausencia de plomo para aplicaciones respetuosas con el medio ambiente
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación y circuitos de conversión
• Utilizados en sistemas de control de motores para un funcionamiento eficaz
• Integrado en los sistemas de gestión de baterías para mejorar el rendimiento
• Aplicable en entornos de automoción para un manejo fiable de la potencia
• Ideal para equipos de automatización industrial que requieren un rendimiento robusto
¿Cuál es el rango de temperatura para un funcionamiento estable?
El componente funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55°C a +150°C, lo que garantiza un rendimiento fiable en diversos entornos.
¿Cómo puede gestionar eficazmente cargas de alta potencia?
Con una disipación de potencia máxima de 38 W y una baja Rds(on) de 175 mΩ, gestiona cargas de alta potencia con una pérdida de energía mínima.
¿Es compatible con un diseño de placa de circuito impreso estándar?
Sí, el tipo de montaje con orificios pasantes es compatible con los diseños de placas de circuito impreso estándar, lo que facilita una integración sencilla.
¿Qué criterios deben tenerse en cuenta para la tensión de puerta?
El rango de tensión de la fuente de puerta de -20 V a +20 V proporciona flexibilidad; el rendimiento óptimo se consigue a 10 V para un funcionamiento eficaz.
¿Cómo contribuye a la eficiencia en la gestión de la energía?
Su baja resistencia a la conexión y su alta capacidad de corriente maximizan la eficiencia en diversos escenarios de gestión de la energía.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRLU024NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFU024NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines