MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
688-7134
Número do artigo Distrelec:
304-43-455
Referência do fabricante:
IRFU3607PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

HEXFET

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

6.22mm

Anchura

2.39 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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