MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay IRF9Z14PBF, VDSS -60 V, ID -6.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 542-9478
- Referência do fabricante:
- IRF9Z14PBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
1,74 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 352 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
- Mais 340 unidade(s) para enviar a partir do dia 14 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,74 € |
| 10 - 49 | 1,57 € |
| 50 - 99 | 1,38 € |
| 100 - 249 | 1,30 € |
| 250 + | 1,21 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 542-9478
- Referência do fabricante:
- IRF9Z14PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -6.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF9Z14 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 500mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -5.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -6.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF9Z14 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -5.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.7mm | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie IRF9Z14 de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de -60 V, corriente de drenaje continua máxima de -6,7 A - IRF9Z14PBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación y control en sistemas electrónicos. Se suministra en un encapsulado TO‐220AB de orificio pasante y es adecuado para aplicaciones que requieren un transistor discreto capaz de manejar corrientes y tensiones moderadas al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje de 60 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 6,7 A admite cargas de potencia media
• La Rds(on) de 500 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 12 nC permite una conmutación razonablemente rápida
• La disipación de potencia de 43 W gestiona la carga térmica en entornos controlados
• La resistencia de fuente de puerta máxima de 20 V simplifica el diseño de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 6,7 A admite cargas de potencia media
• La Rds(on) de 500 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 12 nC permite una conmutación razonablemente rápida
• La disipación de potencia de 43 W gestiona la carga térmica en entornos controlados
• La resistencia de fuente de puerta máxima de 20 V simplifica el diseño de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para la conmutación de motor dc de lado alto en sistemas de automatización
• Ideal para el control de potencia en módulos electrónicos industriales
• Se utiliza con conjuntos de gestión térmica en accionamientos mecánicos
• Puede utilizarse para conmutación de carga en paneles de distribución eléctrica
• Ideal para el control de potencia en módulos electrónicos industriales
• Se utiliza con conjuntos de gestión térmica en accionamientos mecánicos
• Puede utilizarse para conmutación de carga en paneles de distribución eléctrica
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?
Está diseñado para funcionar entre -55 °C y 175 °C, lo que permite su uso en entornos con amplia variación térmica.
¿Cuántas conexiones eléctricas proporciona el paquete para el montaje?
El formato TO‐220AB de orificio pasante presenta tres contactos para un montaje sencillo en PCB o chasis.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse para la conmutación?
La fuente de puerta máxima es de 20 V y la carga de puerta típica es de 12 nC, por lo que los circuitos de accionamiento deben limitar Vgs y proporcionar corriente suficiente para cargar la puerta a la velocidad de conmutación prevista.
¿Hay estándares ambientales o normativos para la pieza?
El dispositivo cumple los requisitos RoHS para sustancias restringidas en componentes electrónicos.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay IRF9Z14PBF, VDSS -60 V, ID -6.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET QFET de canal P, Tipo P-Canal onsemi FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal IRF9Z24PBF, VDSS 60 V, ID 11 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal IRF9Z30PBF, VDSS 50 V, ID 18 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 92 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 79 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 48 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines