MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRF820PBF, VDSS 500 V, ID 2.5 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 178-0851
- Referência do fabricante:
- IRF820PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 178-0851
- Referência do fabricante:
- IRF820PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF820 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 9.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF820 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Longitud 10.41mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 9.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de la serie IRF820 de Vishay, tensión de drenaje a fuente de 500 V, disipación de potencia de 50 W - IRF820PBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para montaje en orificio pasante en circuitos de control y conversión de potencia. Funciona como un dispositivo de mejora de canal N diseñado para conmutar o amplificar cargas de alta tensión en sistemas electrónicos al tiempo que cumple los requisitos RoHS.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 500 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La disipación de potencia de 50 W permite un manejo de potencia sostenido
• La corriente de drenaje continua de 2,5 A permite una conducción de carga moderada
• La RDS(on) máxima de 3 Ω reduce las pérdidas por conducción con cargas ligeras
• La carga de puerta típica de 24 nC permite un control razonable de la velocidad de conmutación
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C se adapta a amplios entornos térmicos
• La disipación de potencia de 50 W permite un manejo de potencia sostenido
• La corriente de drenaje continua de 2,5 A permite una conducción de carga moderada
• La RDS(on) máxima de 3 Ω reduce las pérdidas por conducción con cargas ligeras
• La carga de puerta típica de 24 nC permite un control razonable de la velocidad de conmutación
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C se adapta a amplios entornos térmicos
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conmutación del lado primario de SMPS
• Ideal para controladores de lámparas y calentadores de alta tensión
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor discretos para motores de baja corriente
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de alta tensión de aficionados
• Se utiliza para plataformas de prueba de banco de laboratorio que requieren piezas de orificio pasante resistentes
• Ideal para controladores de lámparas y calentadores de alta tensión
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor discretos para motores de baja corriente
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de alta tensión de aficionados
• Se utiliza para plataformas de prueba de banco de laboratorio que requieren piezas de orificio pasante resistentes
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-220AB configurado para montaje con orificio pasante con tres contactos para una fijación directa de la PCB y disipador térmico.
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse para evitar daños?
La tensión de fuente de puerta no debe exceder los 20 V en ninguna polaridad para evitar la tensión de óxido de puerta y posibles fallos.
¿Cómo afecta la especificación de tensión directa a su uso en circuitos?
La tensión directa especificada de 1,6 V indica la caída de tensión típica cuando se realiza en condiciones de prueba especificadas y debe tenerse en cuenta en los cálculos térmicos y de eficiencia.
¿Es este componente adecuado para temperaturas extremas de automoción?
Aunque tolera temperaturas de -55 °C a 150 °C, no está diseñado para cumplir las cualificaciones estándar de automoción.
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