MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

Código RS:: 178-0823
Referência do fabricante:: IRFB11N50APBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:: 178-0823
Referência do fabricante:: IRFB11N50APBF
Fabricante:: Vishay

Especificações

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Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	11A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Serie	IRFB11N50A
	Encapsulado	JEDEC TO-220AB
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	520mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-30, +30V
	Tensión directa Vf	1.5V
	Disipación de potencia máxima Pd	170W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	52nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.41mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	4.7mm
	Altura	9.01mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 11A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Serie IRFB11N50A
	Encapsulado JEDEC TO-220AB
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 520mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V
	Tensión directa Vf 1.5V
	Disipación de potencia máxima Pd 170W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.41mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 4.7mm
	Altura 9.01mm
	Estándar de automoción No

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MOSFET de potencia de la serie IRFB11N50A de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua de 11 A - IRFB11N50APBF

Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para montaje en placa de orificio pasante en entornos industriales y de electrónica de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas, admite corrientes de conmutación y tensiones sustanciales, y se suministra en un encapsulado TO-220AB para un disipador térmico y un montaje en chasis sencillos.

Características y ventajas:

• El valor nominal de drenaje de 500 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 11 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La disipación máxima de 170 W permite una conmutación de potencia significativa
• La Rds(on) de 520 mΩ proporciona pérdidas de conducción predecibles
• La carga de puerta típica de 52 nC permite un diseño de accionamiento de puerta controlado
• El límite de puerta de 30 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con conjuntos MOSFET discretos en inversores de potencia
• Se puede utilizar para reguladores de potencia y controladores de modo conmutado
• Adecuado para instalaciones de prueba de potencia de laboratorio y prototipos

¿Qué rango térmico puedo esperar para condiciones de campo y almacenamiento?

Funciona entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos hostiles.

¿Cómo se monta y refrigera el dispositivo en un sistema?

El formato de orificio pasante TO-220AB permite atornillar a un disipador térmico externo o chasis para mejorar la transferencia térmica.

¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de puerta son importantes para evitar daños?

Mantenga la tensión de puerta dentro de un límite de 30 V y diseña el controlador para cargar aproximadamente 52 nC para conmutar de manera fiable.

¿Cómo afecta la tensión directa a la conducción en los circuitos?

La tensión directa de 1,5 V influye en las pérdidas totales del sistema durante la conducción y debe incluirse en los cálculos térmicos y de eficiencia.