MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 541-1944
- Referência do fabricante:
- IRFB11N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 541-1944
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- IRFB11N50APBF
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFB11N50A | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 520mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFB11N50A | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 520mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de la serie IRFB11N50A de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua de 11 A - IRFB11N50APBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para montaje en placa de orificio pasante en entornos industriales y de electrónica de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas, admite corrientes de conmutación y tensiones sustanciales, y se suministra en un encapsulado TO-220AB para un disipador térmico y un montaje en chasis sencillos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 500 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 11 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La disipación máxima de 170 W permite una conmutación de potencia significativa
• La Rds(on) de 520 mΩ proporciona pérdidas de conducción predecibles
• La carga de puerta típica de 52 nC permite un diseño de accionamiento de puerta controlado
• El límite de puerta de 30 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas
• La corriente de drenaje continua de 11 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La disipación máxima de 170 W permite una conmutación de potencia significativa
• La Rds(on) de 520 mΩ proporciona pérdidas de conducción predecibles
• La carga de puerta típica de 52 nC permite un diseño de accionamiento de puerta controlado
• El límite de puerta de 30 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con conjuntos MOSFET discretos en inversores de potencia
• Se puede utilizar para reguladores de potencia y controladores de modo conmutado
• Adecuado para instalaciones de prueba de potencia de laboratorio y prototipos
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con conjuntos MOSFET discretos en inversores de potencia
• Se puede utilizar para reguladores de potencia y controladores de modo conmutado
• Adecuado para instalaciones de prueba de potencia de laboratorio y prototipos
¿Qué rango térmico puedo esperar para condiciones de campo y almacenamiento?
Funciona entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos hostiles.
¿Cómo se monta y refrigera el dispositivo en un sistema?
El formato de orificio pasante TO-220AB permite atornillar a un disipador térmico externo o chasis para mejorar la transferencia térmica.
¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de puerta son importantes para evitar daños?
Mantenga la tensión de puerta dentro de un límite de 30 V y diseña el controlador para cargar aproximadamente 52 nC para conmutar de manera fiable.
¿Cómo afecta la tensión directa a la conducción en los circuitos?
La tensión directa de 1,5 V influye en las pérdidas totales del sistema durante la conducción y debe incluirse en los cálculos térmicos y de eficiencia.
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