MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3205PBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
540-9783
Número do artigo Distrelec:
303-41-274
Referência do fabricante:
IRF3205PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

146nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.69 mm

Longitud

10.54mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

8.77mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 110 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 55 V - IRF3205PBF


Este MOSFET HEXFET es un componente de electrónica de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes. Presenta una configuración de canal N con una corriente de drenaje continua máxima de 110 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V. El encapsulado TO-220AB garantiza una gestión térmica eficaz y es adecuado para su uso en diversos entornos industriales.

Características y ventajas


• Capaz de funcionar a altas temperaturas de hasta +175°C

• Ofrece características de conmutación rápida para mejorar el rendimiento

• Excelente clasificación para avalanchas para una mayor durabilidad

• El diseño del modo de mejora proporciona un funcionamiento estable

• Diseñado para facilitar el montaje en orificios pasantes

Aplicaciones


• Se utiliza para la conversión de potencia en fuentes de alimentación

• Adecuado para el control de motores

• Utilizado en sistemas de gestión de baterías

• Aplicación en circuitos de conmutación de alta frecuencia

• Integrado en sistemas de alimentación de electrónica de consumo

¿Qué características térmicas deben tenerse en cuenta para este componente?


La resistencia térmica de unión a carcasa es de 0,75 °C/W, y la de carcasa a disipador puede ser de hasta 0,50 °C/W cuando se aplica a una superficie plana y engrasada. Esto es esencial para mantener un rendimiento óptimo en situaciones de alta carga.

¿Cómo pueden influir las especificaciones en el rendimiento global?


La baja resistencia a la conexión y la alta capacidad de corriente de drenaje continua permiten reducir la pérdida de potencia y mejorar la eficiencia térmica, lo que se traduce en una mayor fiabilidad en diversas aplicaciones.

¿Qué métodos pueden aplicarse para una disipación eficaz del calor?


La utilización de un disipador térmico junto con el encapsulado TO-220AB puede mejorar enormemente la disipación del calor durante el funcionamiento, garantizando que el dispositivo se mantenga dentro de unos límites térmicos seguros.

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