MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFZ48RPBF, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 281-6035
- Número do artigo Distrelec:
- 171-17-666
- Referência do fabricante:
- IRFZ48RPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 281-6035
- Número do artigo Distrelec:
- 171-17-666
- Referência do fabricante:
- IRFZ48RPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.018Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IRFZ48R | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.018Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia Vishay utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión baja por área de silicio. Se trata de un dispositivo eficiente y fiable para diversas aplicaciones gracias a su velocidad de conmutación rápida y su diseño robusto.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido ultrabaja
Valor nominal dinámico dV/dt
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