MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRF840PBF, VDSS 500 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 281-6028
- Número do artigo Distrelec:
- 304-42-105
- Referência do fabricante:
- IRF840PBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
13,08 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 75 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 560 unidade(s) para enviar a partir do dia 06 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,616 € | 13,08 € |
| 50 - 95 | 2,376 € | 11,88 € |
| 100 - 245 | 2,282 € | 11,41 € |
| 250 - 495 | 2,136 € | 10,68 € |
| 500 + | 1,90 € | 9,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 281-6028
- Número do artigo Distrelec:
- 304-42-105
- Referência do fabricante:
- IRF840PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF840 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF840 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de la serie IRF840 de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, disipación de potencia de 125 W - IRF840PBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de alta tensión diseñado para conmutación y amplificación en electrónica de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante adecuado para disipación térmica. El componente cumple la directiva RoHS y emplea una topología de mejora de canal N para controlar la conducción drenador-fuente en circuitos de alta tensión.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje-fuente de 500 V para aplicaciones de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8 A admite cargas sostenidas
• Disipación de potencia de 125 W para un manejo térmico elevado
• La Rds(on) de 850 mΩ equilibra las pérdidas de conducción y la simplicidad de control
• La carga total de puerta de 63 nC permite un control de conmutación predecible
• La tensión máxima de fuente de puerta de 20 V permite un accionamiento de puerta robusto
• La corriente de drenaje continua de 8 A admite cargas sostenidas
• Disipación de potencia de 125 W para un manejo térmico elevado
• La Rds(on) de 850 mΩ equilibra las pérdidas de conducción y la simplicidad de control
• La carga total de puerta de 63 nC permite un control de conmutación predecible
• La tensión máxima de fuente de puerta de 20 V permite un accionamiento de puerta robusto
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de salida de fuente de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con circuitos de accionamiento de motor de alta tensión
• Ideal para elementos de conmutación de inversores industriales
• Se puede utilizar para transistores de lado alto de convertidor dc-dc
• Se utiliza para plataformas de prueba de alimentación de laboratorio y placas de prototipos
• Se utiliza con circuitos de accionamiento de motor de alta tensión
• Ideal para elementos de conmutación de inversores industriales
• Se puede utilizar para transistores de lado alto de convertidor dc-dc
• Se utiliza para plataformas de prueba de alimentación de laboratorio y placas de prototipos
¿Qué temperaturas ambiente puede tolerar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.
¿Cómo se debe montar para un rendimiento térmico óptimo?
El formato de orificio pasante TO-220AB está diseñado para fijarse a un disipador térmico con la lengüeta y la fijación para maximizar la conducción térmica.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observar los diseñadores?
La tensión de la fuente de la puerta no debe exceder los 20 V
Los circuitos de accionamiento de puerta típicos deben proporcionar transiciones controladas para gestionar la carga de puerta de 63 nC.
¿Hay alguna garantía de uso en automoción para su uso en vehículos?
No está incluido como dispositivo estándar de automoción, por lo que los diseñadores deben evaluar su idoneidad antes de aplicarlo en vehículos.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRF840PBF, VDSS 500 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRF840APBF, VDSS 500 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRF820PBF, VDSS 500 V, ID 2.5 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRF830APBF, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay IRF840HPBF, VDSS 500 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 92 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines