MOSFET Vishay, N-Canal SIZF4800LDT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 36 A, 3 x 3FS, Mejora de 12 pines, 2
- Código RS:
- 280-0005
- Referência do fabricante:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 280-0005
- Referência do fabricante:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | 3 x 3FS | |
| Serie | SIZF4800LDT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 80V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado 3 x 3FS | ||
Serie SIZF4800LDT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 80V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N doble y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Canal N doble simétrico
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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