MOSFET Vishay, N-Canal SIZF4800LDT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 36 A, 3 x 3FS, Mejora de 12 pines, 2
- Código RS:
- 280-0005
- Referência do fabricante:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2 352,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 3000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,784 € | 2 352,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 280-0005
- Referência do fabricante:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SIZF4800LDT | |
| Encapsulado | 3 x 3FS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 80V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SIZF4800LDT | ||
Encapsulado 3 x 3FS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 80V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N doble y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Canal N doble simétrico
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
Links relacionados
- MOSFET Vishay, N-Canal SIZF4800LDT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 36 A, 3 x 3FS, Mejora de 12 pines, 2
- MOSFET, N-Canal Vishay SI4154DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SISS4410DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4497DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 36 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay, N-Canal SIZF5300DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 125 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIA5213DJ-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -36 A, Mejora, PowerPAK SC-70 de 6 pines
- MOSFET, Doble N-Canal Vishay SIZF5302DT-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines
- MOSFET, Doble N-Canal Vishay SIZF5300DT-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 125 A, Mejora, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines