MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS5623DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 36.3 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 280-0001
- Referência do fabricante:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,233 € | 8,93 € |
| 60 - 96 | 2,14 € | 8,56 € |
| 100 - 236 | 1,893 € | 7,57 € |
| 240 - 996 | 1,86 € | 7,44 € |
| 1000 + | 1,828 € | 7,31 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 280-0001
- Referência do fabricante:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Serie | SiSS5623DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.046Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Serie SiSS5623DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.046Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia de nueva generación
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Producto RDS x Qg FOM ultrabajo
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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