MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS5623DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 36.3 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
280-0001
Referência do fabricante:
SISS5623DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

36.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SiSS5623DN

Encapsulado

1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.046Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia de nueva generación

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Producto RDS x Qg FOM ultrabajo

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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