MOSFET, N-Canal Vishay SIHP155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 279-9927
- Referência do fabricante:
- SIHP155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
8,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 946 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,25 € | 8,50 € |
| 10 - 28 | 4,165 € | 8,33 € |
| 30 - 98 | 4,07 € | 8,14 € |
| 100 + | 3,995 € | 7,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9927
- Referência do fabricante:
- SIHP155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.157Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.157Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 21 A - SIHP155N60EF-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de orificio pasante diseñado para aplicaciones de potencia y conmutación de alta tensión. Funciona en un rango de temperatura ampliado y se suministra en un encapsulado TO-220AB adecuado para disipador térmico convencional y montaje en panel. El dispositivo está diseñado para ingenieros que requieren un semiconductor robusto para etapas de potencia discretas y topologías de conmutación donde se necesita una combinación de capacidad de tensión y resistencia térmica.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 21 A admite corrientes de carga sustanciales
• La baja Rds(on) de 0,157 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 179 W permite una carga térmica más alta
• Carga de puerta típica de 38 nC para una energía de conmutación gestionable
• La tolerancia de puerta de 30 V admite amplias tensiones de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 21 A admite corrientes de carga sustanciales
• La baja Rds(on) de 0,157 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 179 W permite una carga térmica más alta
• Carga de puerta típica de 38 nC para una energía de conmutación gestionable
• La tolerancia de puerta de 30 V admite amplias tensiones de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para interruptores de red e inversores de alta tensión
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren un margen térmico robusto
• Ideal para etapas de accionamiento de motores industriales
• Se puede utilizar para convertidores dc-dc con carriles de alta tensión
• Se utiliza para conmutación de uso general en electrónica de potencia
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren un margen térmico robusto
• Ideal para etapas de accionamiento de motores industriales
• Se puede utilizar para convertidores dc-dc con carriles de alta tensión
• Se utiliza para conmutación de uso general en electrónica de potencia
¿Qué temperaturas ambiente puede soportar el dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles.
¿Cómo es útil el encapsulado para la gestión térmica?
El formato TO-220AB proporciona una lengüeta metálica para la fijación directa a los disipadores térmicos, lo que mejora la transferencia de calor para una alta disipación.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión máxima de puerta a fuente es de 30 V, por lo que los controladores de puerta deben limitarse a este valor para evitar sobretensión.
¿El dispositivo cumple las restricciones de material habituales?
Cumple los requisitos RoHS, lo que restringe determinadas sustancias peligrosas en su estructura.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SUP70040E-GE3, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi FQP22N30, VDSS 300 V, ID 21 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines