Vishay IGBT, SIA456DJ-T1-GE3, Tipo N-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

2,86 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 1120 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +0,286 €2,86 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
180-7793
Referência do fabricante:
SIA456DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

IGBT

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Encapsulado

PowerPAK SC-70-6L

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

6

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

16 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Longitud

2.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET SC-70-6 de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 200V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 16V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1380mohms a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 19W mW y una corriente de drenaje continua de 2,6A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 1,8V V y 4,5V V respectivamente. Tiene aplicación en convertidor elevador para dispositivos portátiles. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Baja resistencia de conexión

• Nuevo encapsulado POWERPAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño reducido

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

Links relacionados