Vishay IGBT, SIA456DJ-T1-GE3, Tipo N-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- Código RS:
- 180-7793
- Referência do fabricante:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
2,86 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 1120 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,286 € | 2,86 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7793
- Referência do fabricante:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Encapsulado | PowerPAK SC-70-6L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 6 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Encapsulado PowerPAK SC-70-6L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 6 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Longitud 2.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET SC-70-6 de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 200V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 16V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1380mohms a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 19W mW y una corriente de drenaje continua de 2,6A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 1,8V V y 4,5V V respectivamente. Tiene aplicación en convertidor elevador para dispositivos portátiles. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Baja resistencia de conexión
• Nuevo encapsulado POWERPAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño reducido
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
Links relacionados
- Vishay IGBT, Tipo N-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- Vishay IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3, Tipo P-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- Vishay IGBT, Tipo P-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA817EDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA437DJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 29.7 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 29.7 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 1, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA112LDJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, SC-70-6L de 7 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA4371EDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9 A, PowerPAK SC-70
