STMicroelectronics, N-Canal SGT65R65AL, VDSS 750 V, ID 25 A, PowerFLAT (5 x 6) HV, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 275-1317
- Referência do fabricante:
- SGT65R65AL
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1317
- Referência do fabricante:
- SGT65R65AL
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 750 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 25 A | |
| Encapsulado | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 750 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 25 A | ||
Encapsulado PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
- COO (País de Origem):
- CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
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