MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 11 A, PowerFlat HV de 5 pines
- Código RS:
- 203-3438
- Referência do fabricante:
- STL19N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 203-3438
- Referência do fabricante:
- STL19N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFlat HV | |
| Serie | M6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 308mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.95mm | |
| Altura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFlat HV | ||
Serie M6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 308mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.95mm | ||
Altura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia M6 MDmesh de canal N de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics ha creado la generación anterior de dispositivos MDmesh mediante su nueva tecnología M6. Esto combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Pérdidas de conmutación reducidas
Resistencia de entrada de puerta baja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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