MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK184N4F7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, ECOPACK de 4 pines
- Código RS:
- 273-5096
- Referência do fabricante:
- STK184N4F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 273-5096
- Referência do fabricante:
- STK184N4F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | ECOPACK | |
| Serie | STripFETTM F7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.0mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 4.8 to 5 mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado ECOPACK | ||
Serie STripFETTM F7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.0mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 4.8 to 5 mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de grado de automoción de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Calificación AEC-Q101
Excelente FoM
Alta resistencia a avalanches
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