MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK184N4F7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, ECOPACK de 4 pines
- Código RS:
- 273-5095
- Referência do fabricante:
- STK184N4F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 273-5095
- Referência do fabricante:
- STK184N4F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STripFETTM F7 | |
| Encapsulado | ECOPACK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.0mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.8 to 5 mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STripFETTM F7 | ||
Encapsulado ECOPACK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.0mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.8 to 5 mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de grado de automoción de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Calificación AEC-Q101
Excelente FoM
Alta resistencia a avalanches
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK184N4F7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, ECOPACK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL260N4F7, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, ECOPACK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK130N4LF7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, ISOTOP de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STE40NC60, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, ISOTOP de 4 pines