MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK130N4LF7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

9,59 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
A ser descontinuado
  • Última(s) 100 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +0,959 €9,59 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
239-5538
Referência do fabricante:
STK130N4LF7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

STK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

105W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

40 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

UL

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de grado de automoción de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Certificación AEC-Q101

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

Links relacionados