Canal P, Tipo P-Canal Infineon ISP26DP06NMSATMA1, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

471,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 16 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,157 €471,00 €

*preço indicativo

Código RS:
273-3041
Referência do fabricante:
ISP26DP06NMSATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

ISP

Encapsulado

PG-SOT223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

260mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal P de Infineon en nivel normal y lógico, lo que reduce la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja.

Interfaz sencilla con MCU

Conmutación rápida

Robustez de avalancha

Links relacionados