MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R1K5PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 3.6 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3015
- Referência do fabricante:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
711,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 14 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,237 € | 711,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-3015
- Referência do fabricante:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-SOT223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC Standard | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-SOT223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC Standard | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión MOS PFD7 de 600 V frío de Infineon complementa la oferta de MOS 7 frío para aplicaciones de consumo.
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 3.6 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- Canal P, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- Canal P, Tipo P-Canal Infineon ISP26DP06NMSATMA1, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 0.12 A, Reducción, PG-SOT223 de 4 pines
- MOSFET Infineon, ID 7.6 A, PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP135H6906XTSA1, VDSS 600 V, ID 0.12 A, Reducción, PG-SOT223 de 4 pines