MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 173 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3030
- Referência do fabricante:
- IRFS7537TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 273-3030
- Referência do fabricante:
- IRFS7537TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 173A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 142nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 173A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 142nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de Infineon en un encapsulado D2-Pak está optimizado para la más amplia disponibilidad de los socios de distribución.
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
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