MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 173 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3030
- Referência do fabricante:
- IRFS7537TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-3030
- Referência do fabricante:
- IRFS7537TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 173A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 142nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 173A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 142nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de Infineon en un encapsulado D2-Pak está optimizado para la más amplia disponibilidad de los socios de distribución.
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
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