MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- Código RS:
- 273-2996
- Referência do fabricante:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
4,82 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 480 unidade(s) a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,41 € | 4,82 € |
| 10 - 18 | 2,185 € | 4,37 € |
| 20 - 24 | 2,15 € | 4,30 € |
| 26 - 48 | 2,015 € | 4,03 € |
| 50 + | 1,855 € | 3,71 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2996
- Referência do fabricante:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 87A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | PG-TO-220 FullPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 87A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado PG-TO-220 FullPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon en encapsulado TO-220 fullPAK presenta una mayor densidad de potencia, una eficiencia mejorada con un bajo RDS y costes del sistema más bajos. La cartera de encapsulados TO-220 FullPAK de MOSFET de potencia presenta una solución perfecta para rectificación síncrona.
Menos paralelismo necesario
Sobrecarga de baja tensión
Menos generación de calor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA029N06NM5SXKSA1, VDSS 60 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon BSC088N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 87 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines