MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHF110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- Código RS:
- 735-256
- Referência do fabricante:
- SIHF110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
4,21 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 10 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,21 € |
| 10 - 49 | 2,62 € |
| 50 - 99 | 2,02 € |
| 100 + | 1,37 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-256
- Referência do fabricante:
- SIHF110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-220 FullPAK | |
| Serie | SF Series | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.3 mm | |
| Longitud | 15.97mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-220 FullPAK | ||
Serie SF Series | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.3 mm | ||
Longitud 15.97mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA029N06NM5SXKSA1, VDSS 60 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO-220 FullPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP125N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP186N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 4.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHP105N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
