MOSFET de potencia, N-Canal Infineon BSC088N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 87 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-395
- Referência do fabricante:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
29,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 5000 unidade(s) a partir do dia 26 de maio de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 5,84 € | 29,20 € |
| 50 - 95 | 5,544 € | 27,72 € |
| 100 + | 5,14 € | 25,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-395
- Referência do fabricante:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 87A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión directa Vf | 1.20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 87A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión directa Vf 1.20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 150 V, disipación de potencia máxima de 139 W - BSC088N15LS5ATMA1
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para tareas de conmutación de alta corriente y conversión de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente a tensiones elevadas. El dispositivo incluye protección de puerta y cumple los estándares de resistencia a materiales y temperatura reconocidos, al tiempo que cumple los requisitos RoHS.
Características y ventajas:
• La RDS(on) de 8,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 87 A admite diseños de alta corriente
• La tensión directa de 1,20 V reduce la caída de tensión en estado activo
• La carga de puerta típica de 40 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• El límite de puerta-fuente de 20 V proporciona una protección de puerta robusta
• La corriente de drenaje continua de 87 A admite diseños de alta corriente
• La tensión directa de 1,20 V reduce la caída de tensión en estado activo
• La carga de puerta típica de 40 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• El límite de puerta-fuente de 20 V proporciona una protección de puerta robusta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta potencia en equipos industriales
• Se utiliza con controladores de motor que requieren alta corriente sostenida
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Apto para conmutación de alta potencia y baja pérdida en inversores
• Se utiliza con controladores de motor que requieren alta corriente sostenida
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Apto para conmutación de alta potencia y baja pérdida en inversores
¿Qué resistencia térmica ofrece en funcionamiento continuo?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que proporciona un amplio espacio térmico para entornos exigentes.
¿Qué encapsulado y estilo de montaje admiten los conjuntos compactos?
El encapsulado PG‐TDSON‐8 está diseñado para colocación en superficie para permitir diseños de placa que ahorran espacio.
¿Qué normas y restricciones de material se aplican a su fabricación?
El dispositivo cumple con DIN IEC 68‐1:55/175/56, IEC 61249‐2‐21 y es conforme con RoHS.
¿Cómo se comporta el dispositivo en términos de rendimiento de conmutación?
Con una carga de puerta típica de 40 nC y un funcionamiento de canal de mejora, admite transiciones de puerta rápidas para una conmutación eficiente.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Infineon BSC152N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 55 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Infineon BSC105N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 76 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Infineon ISC011N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOST, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 63 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, N-Canal Infineon ISCH42N04LM7ATMA1, VDSS 40 V, ID 541 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOST, N-Canal Infineon ISC045N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 63 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines